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Wissenschaftliche Mitarbeiterin/ Wissenschaftlicher Mitarbeiter (m/w/d)

Ausschreibungskennziffer 2/2026

Fakultät für Chemie und Physik und Biowissenschaften

Umfang: 0,75 VZÄ (30 Stunden/Woche)       Vergütung:  E13 TV-L

Befristung: 3 Jahre                                         Beginn: 01.03.2026

Forschungsschwerpunkt am Institut für Angewandte Physik der TU Bergakademie Freiberg ist die Untersuchung und Integration neuer Materialien und Halbleiter. Das betreffende Forschungsvorhaben ist ein deutsch-österreichisches (DFG-FWF) Verbundprojekt mit Projektpartnern an der TU Wien und JKU Linz. Gemeinsames Projektziel ist die Entwicklung eines neuartigen Dotierungskonzepts für Silicium-Germanium (SiGe) Transistoren, welches nicht auf klassischer Verunreinigungsdotierung basiert, sondern einen Ladungstransferprozess mit einer oberflächenfunktionalisierenden dielektrischen Schicht nutzt. Dieser Dotierungsansatz ermöglicht eine effizientere Kontrolle über die Leitfähigkeit von ultra-kleinen Nanodrähten bzw. Nanosheets (<10 nm) und birgt Vorteile für besonders stromsparende und/oder bei kryogenen Temperaturen betriebene Transistoren. Damit wollen wir ultimativ skalierbare junctionless-Nanodrahttransistoren für zukünftige Chip-Generationen demonstrieren.

Ihre Aufgaben:

Mitarbeit an einem Forschungsvorhaben zu neuartigen Dotierungsverfahren für    Silicium-Germanium Halbleiter

Arbeiten im Zentralen Reinraumlabor der TU Bergakademie Freiberg

Entwicklung von Prozessen für die Atomlagenabscheidung von Metalloxiden und high-k Dielektrika

elektrische und defektspektroskopische Charakterisierung der hergestellten 1- und 2-dimensionalen SiGe-Nanostrukturen und Testbauelemente

Präsentation der Ergebnisse bei Projekttreffen, auf nationalen und internationalen Konferenzen sowie Veröffentlichungen in Fachzeitschriften

Das erwarten wir von Ihnen:

universitärer Diplom- oder Masterabschluss auf dem Gebiet der Physik, Elektrotechnik oder Angewandten Naturwissenschaft

fundierte Kenntnisse in Festkörper- u. Halbleiterphysik sowie Halbleitertechnologie

Praktische Erfahrungen mit der Prozessierung von Dünnschichten und Arbeiten im Reinraum

Kenntnisse und praktische Erfahrungen in der elektrischen Charakterisierung von Hableiterbauelementen

Bereitschaft zur wissenschaftlichen Qualifizierung (Promotion)

Interdisziplinäre Zusammenarbeit, Teamfähigkeit und Flexibilität

selbstständige, zielorientierte und strukturierte Arbeitsweise sowie hohes persönliches Engagement

gute Deutsch- und Englischkenntnisse in Wort und Schrift

Das können Sie von uns erwarten:

familienfreundliche Arbeitsbedingungen und flexible Arbeitszeiten

Vergütung nach TV-L mit attraktiven Nebenleistungen (z. B. vermögenswirksame Leistungen, betriebliche Altersvorsorge VBL)

Ihre Bewerbung

Bitte senden Sie Ihre Bewerbung mit den üblichen Unterlagen unter Angabe der Kennziffer (2/2026)

bis zum 31.01.2026 bevorzugt

per E-Mail an:

bewerbungen@tu-freiberg.de

oder an:

TU Bergakademie Freiberg

Dezernat Personalangelegenheiten

09596 Freiberg

Für weitere Informationen steht Ihnen 

Herr Prof. Dr. Daniel Hiller Email: sekretariat.iap@physik.tu-freiberg.de 

Tel. 03731/39-4002 zur Verfügung.

Bewerberinnen und Bewerber (m/w/d) müssen die Einstellungsvoraussetzungen für den Abschluss von Arbeitsverträgen für eine bestimmte Zeit gemäß WissZeitVG erfüllen.

Schwerbehinderte oder Gleichgestellte (m/w/d) werden bei gleicher Eignung, Leistung und Befähigung bevorzugt berücksichtigt. Bitte fügen Sie einen Nachweis bei. Die TU Bergakademie Freiberg fördert gezielt den Anteil von Frauen und lädt qualifizierte Frauen ausdrücklich zur Bewerbung ein.